Na moderna tecnologia de iluminação, os LEDs (diodos emissores de luz) são amplamente utilizados devido à sua alta eficiência e vida longa. No entanto, os fenômenos de descarga eletrostática (ESD) representam uma ameaça significativa à confiabilidade dos LEDs e podem levar a várias formas de falha, incluindo falha súbita e falha latente.
Fracasso repentino
A falha repentina refere -se à possibilidade de danos permanentes ou curto -circuito de LEDs quando submetidos a descarga eletrostática. Quando um LED está em um campo eletrostático, se um de seus eletrodos estiver em contato com um corpo eletrostático e o outro eletrodo for suspenso, qualquer interferência externa (como uma mão humana tocando o eletrodo suspenso) pode formar um loop condutor. Nesse caso, o LED será submetido a uma tensão excedendo sua tensão de quebra nominal, resultando em danos estruturais. A falha repentina não apenas reduzirá significativamente a taxa de rendimento do produto, mas também aumentará diretamente o custo de produção da empresa e afetará sua competitividade no mercado.
Falha latente
A descarga eletrostática também pode levar à falha latente dos LEDs. Mesmo que pareça normal na superfície, os parâmetros de desempenho do LED podem se deteriorar gradualmente, manifestados como um aumento na corrente de vazamento. Para LEDs baseados em nitreto de gálio (GaN), os perigos ocultos causados por danos eletrostáticos são geralmente irreversíveis. Essa falha latente é responsável por uma grande proporção de falhas causadas pela descarga eletrostática. Devido à influência da energia do pulso eletrostático, as lâmpadas LED ou os circuitos integrados (ICs) podem superaquecer nas áreas locais, fazendo com que elas se quebrem. Esse tipo de falha geralmente é difícil de detectar na detecção convencional. No entanto, a estabilidade do produto será seriamente afetada, e problemas como luzes mortos podem ocorrer posteriormente, o que reduzirá significativamente a vida útil do serviço de Lâmpadas de Tri LED e causar perdas econômicas aos clientes.
Dano da estrutura interna
Durante o processo de descarga eletrostática, as cargas eletrostáticas da polaridade reversa podem se acumular nas duas extremidades da junção PN do chip LED para formar uma tensão eletrostática. Quando a tensão excede a tolerância máxima do LED, a carga eletrostática descarregará entre os dois eletrodos do chip LED em um tempo muito curto (nível de nanossegundos), gerando muito calor. Esse calor pode causar a temperatura da camada condutora e a camada de emissor de luz da junção PN dentro do chip de LED subir acentuadamente para mais de 1400 ℃, resultando em fusão local e na formação de pequenos orifícios, o que, por sua vez, causa uma série de fenômenos de falha, como vazamento, luminária, luzes mortas e curtos circuitos.
Alterações microestruturais
Do ponto de vista da microestrutura, a descarga eletrostática pode causar defeitos de fusão e deslocamento na interface de heterojunção do LED. Por exemplo, em LEDs baseados em arseneto de gálio (GAAs), os danos por descarga eletrostática podem desencadear a formação de defeitos da interface de heterojunção. Esses defeitos não apenas afetam diretamente as propriedades elétricas e ópticas do LED, mas também podem se expandir gradualmente durante o uso subsequente, causando maior degradação do desempenho do dispositivo.
No.8, Ankang West Road, Zonghan Street, Cixi City, província de Zhejiang, P.R.China
0086-574-6320 0283
Copyright © Ningbo Longer Lighting Co., Ltd.
Todos os direitos reservados.
